准教授 松田晃史

准教授 松田晃史
東京工業大学
物質理工学院・材料系 准教授(エネルギーコース・材料コース)
E-mail: matsuda.a.aa@@m.titech.ac.jp (余分な@を取って下さい)
 
 業績リスト
略歴
(東京都出身。幼少期を米国NY州にて過ごし、以下略歴をたどる)
2003.3東京工業大学・工学部無機材料工学科 卒業
2005.3 同・大学院総合理工学研究科 物質科学創造専攻 修士課程 修了
2008.3 同・博士課程 修了 博士(工学)
Study on Morphology, Structure, and Property of Self-Organized Nanostructures of Functional Oxides and Metals
2008.4株式会社日立製作所 材料研究所・研究員
2011.9東京工業大学 大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻・助教
2015.3東京工業大学 大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻・講師
2016.4東京工業大学 物質理工学院 講師(材料系/エネルギーコース・材料コース)
2022.4東京工業大学 物質理工学院 准教授(材料系/エネルギーコース・材料コース)
研究方針
  • 定石に囚われない材料研究・材料技術開発
  • 自らの名前を冠する材料の創製開発をめざす
  • 知的インフラ水準の向上
  • 優れた自主技術・材料の研究開発を通じて社会に貢献する
教育方針
  • 自らタイムスケールを管理し、”Plan”、”Do”、”Check”、”Act”サイクルを回せる
  • 現象に適切に疑問を投げかけて、理解・納得して行動する
  • 事象、現象を多面的に捉える
  • 行動の結果を適切に説明し、議論が成立する
研究・奨学助成金
  • 2020年 日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究B
  • 2018年 (公財)村田学術振興財団 研究助成
  • 2015年 日本学術振興会 科学研究費助成事業 若手研究B
  • 2013年 東京工業大学「研究の種発掘」支援
  • 2012年 (公財)日本科学協会 笹川科学研究助成
  • 2006年 (公財)日本科学協会 笹川科学研究助成
  • 2005年 文部科学省COE 東京工業大学プロジェクトマネジメントコース
所属学会等

日本セラミックス協会、応用物理学会、Materials Research Society (米国材料学会)、電気学会、日本熱電学会

受賞歴
2019.6The Ceramic Society of Japan 進歩賞
ワイドギャップ酸化物半導体薄膜の室温エピタキシャル合成
2016.12The Materials Research Society of Japan 奨励賞
Buffer-induced room-temperature epitaxy of β-Ga2O3 thin films by excimer laser annealing
2016.3The Ceramic Society of Japan 優秀ポスター賞
Phase selective epitaxy of VOX thin films by annealing under uniaxial compression and their conduction property
2014.6The Ceramic Society of Japan 優秀総説論文賞(共同受賞)
Room-temperature synthesis of epitaxial oxide thin films for development of unequilibrium structure and novel electronic functionalization
2013.9The Ceramic Society of Japan シンポジウム賞
室温合成エピタキシャル酸化物薄膜の水素還元による磁気抵抗型積層薄膜の作製
2006.3The Ceramic Society of Japan 最優秀ポスター賞
Development and characterization of epitaxial [ferromagnetic metal/semiconductor] hybrid nano-materials by PLD and hydrogen reduction
2005.3東京工業大学 土肥賞
PLD合成酸化物薄膜の水素還元による金属エピタキ シャル薄膜の作製と評価
2004.12MRS Fall Meetng 2004, Symposium Award
Low-temperature formation of epitaxial metal thin films by way of hydrogen reduction of epitaxially grown oxide thin films
招待講演
2018.11Atomic-scale flattened/patterned flexible substrates for nanomaterials formation
4th International Conference on Young Researchers on Advanced Materials (IUMRS-ICYRAM 2018)
(Akifumi Matsuda)
Adelaide Convention Centre, Adelaide, Australia
2017.11Laser-induced room-temperature epitaxy of wide-bandgap semiconductor thin films
The 4th International Symposium on Hybrid Materials and Processing (HyMap 2017)
(A-IN-12: Akifumi Matsuda and Mamoru Yoshimoto)
Haeundae Grand Hotel, Busan, South Korea
2017.4Buffer-layer Enhanced Heteroepitaxy of Wide-bandgap Semiconductor Thin Films by Room-temperature Laser Processing
IMAPS/ACerS 13th International Conference and Exhibition on Ceramic Interconnect and Ceramic Microsystems Technologies (CICMT 2017)
(2-F04-IN: Akifumi Matsuda and Mamoru Yoshimoto)
Todaiji Museum, Nara, Japan
2017.2Room-temperature epitaxy of wide bandgap oxide semiconductors
The 18th International Symposium on Eco-materials Processing and Design (ISEPD 2017)
(AI2-11: Akifumi Matsuda and Mamoru Yoshimoto)
Okinawa Jichikaikan, Naha, Japan
2016.12Low-temperature heteroepitaxy of wide-gap oxide semiconductor thin films
3rd International Conference on Young Researchers on Advanced Materials (IUMRS-ICYRAM 2016)
(ABS-351-ICYRAM: Akifumi Matsuda, Satoru Kaneko and Mamoru Yoshimoto)
Indian Institute of Science, Bangalore, India
2015.10Low-temperature epitaxial synthesis of widegap ceramic-based thin films
14th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2015)
(VI-3We2B2-3: Akifumi Matsuda and Mamoru Yoshimoto)
International Convention Center Jeju, Jeju, South Korea